INTEL® TEKNOLOJİSİ X

Silikon Yeniliği

Intel, her zaman enerji verimliliği yüksek güçlü işlemci performansı sunmak için yeni tasarımlar geliştirmeye çalışır. Intel işlemcilerinin transistör yoğunluğunun yaklaşık iki katına çıkarılması; performans artışı, L2 ön belleğinde %50’ye varan büyüme ve enerji verimliliğinde yeni seviyeler anlamına gelir. Gordon Moore, bu gelişmeyi "İşlemci teknolojisinde son 40 yılın en büyük yeniliği" olarak görmektedir.

45nm
Piyasada şu anda bulunan transistörler bir metrenin 45 milyarda biri genişliğindedir. Intel transistörlerinden 2000 tanesini yan yana koyduğunuzda bir insan saç telinin çapı genişliğine ulaşılır. Silikon dioksit (1960’lardan bu yana kullanılmaktadır) yerine hafniyum oksit kullanımıyla yeni işlemcilerde daha az enerji kaybı, daha az ısınma ve daha hızlı geçişler sağlanır.

32nm
Yeni bir başlangıcın ilk adımı. Intel, 2007 yılında 32nm işlemcilerini tanıttı ve 2009 yılında bu işlemcilerin üretimine geçmeye hazırlanıyor. Bir nokta işaretine sığan 4 milyondan fazla transistör ile Moore Kanunu’nun bir noktaya birçok transistörün sığabileceği öngörüsü tekrar doğrulanmıştır.